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PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Modèle de produit:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- La description:
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14437 Pieces
- Fiche technique:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Test: | 28V |
|---|---|
| Tension - Nominale: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Package composant fournisseur: | H-49248H-4 |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | 29W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | H-49248H-4 |
| Autres noms: | SP001483354 |
| Noise Figure: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Gain: | 14.8dB |
| La fréquence: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Description élargie: | RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4 |
| La description: | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Note actuelle: | 10µA |
| Courant - Test: | 520mA |
| Email: | [email protected] |
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