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PSMN019-100YLX
- Modèle de produit:
- PSMN019-100YLX
- Fabricant:
- Nexperia
- La description:
- MOSFET N-CH 100V LFPAK56
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19638 Pieces
- Fiche technique:
- PSMN019-100YLX.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 167W (Tc) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | SC-100, SOT-669 |
| Autres noms: | 1727-2592-6 568-13043-6 568-13043-6-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | PSMN019-100YLX |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5085pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 72.4nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 56A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V LFPAK56 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 56A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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