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NTTFS5116PLTWG
- Modèle de produit:
- NTTFS5116PLTWG
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15283 Pieces
- Fiche technique:
- NTTFS5116PLTWG.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 52 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.2W (Ta), 40W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerWDFN |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 23 Weeks |
| Référence fabricant: | NTTFS5116PLTWG |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1258pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 60V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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