NTP52N10
NTP52N10
Modèle de produit:
NTP52N10
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
13973 Pieces
Fiche technique:
NTP52N10.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 26A, 10V
Dissipation de puissance (max):214W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:NTP52N10OS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:NTP52N10
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3150pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 60A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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