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NTMS4920NR2G
- Modèle de produit:
- NTMS4920NR2G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19389 Pieces
- Fiche technique:
- NTMS4920NR2G.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour NTMS4920NR2G, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour NTMS4920NR2G par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 820mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | NTMS4920NR2G-ND NTMS4920NR2GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 5 Weeks |
| Référence fabricant: | NTMS4920NR2G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4068pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 58.9nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 10.6A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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