NTMFS5C673NLT1G
NTMFS5C673NLT1G
Modèle de produit:
NTMFS5C673NLT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V SO8FL
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15311 Pieces
Fiche technique:
NTMFS5C673NLT1G.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 35µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.2 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.6W (Ta), 46W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:NTMFS5C673NLT1G-ND
NTMFS5C673NLT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:29 Weeks
Référence fabricant:NTMFS5C673NLT1G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:880pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 60V 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
La description:MOSFET N-CH 60V SO8FL
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:-
Email:[email protected]

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