NTD5407NT4G
NTD5407NT4G
Modèle de produit:
NTD5407NT4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13072 Pieces
Fiche technique:
NTD5407NT4G.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.9W (Ta), 75W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:NTD5407NT4G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 32V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 40V 7.6A (Ta), 38A (Tc) 2.9W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Tension drain-source (Vdss):40V
La description:MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7.6A (Ta), 38A (Tc)
Email:[email protected]

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