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NTD110N02RT4G
- Modèle de produit:
- NTD110N02RT4G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12977 Pieces
- Fiche technique:
- NTD110N02RT4G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | NTD110N02RT4GOS NTD110N02RT4GOS-ND NTD110N02RT4GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | NTD110N02RT4G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3440pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 24V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 24V |
| La description: | MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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