NTB23N03R
NTB23N03R
Modèle de produit:
NTB23N03R
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
18333 Pieces
Fiche technique:
NTB23N03R.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D2PAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):37.5W (Tj)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:NTB23N03R
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.76nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 25V 23A (Ta) 37.5W (Tj) Surface Mount D2PAK
Tension drain-source (Vdss):25V
La description:MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A (Ta)
Email:[email protected]

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