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NJVMJD6039T4G
- Modèle de produit:
- NJVMJD6039T4G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15352 Pieces
- Fiche technique:
- NJVMJD6039T4G.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 2.5V @ 8mA, 2A |
| Transistor Type: | NPN - Darlington |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.75W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Référence fabricant: | NJVMJD6039T4G |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 1.75W Surface Mount DPAK |
| La description: | TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 500 @ 2A, 4V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
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