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NESG2107M33-T3-A
- Modèle de produit:
- NESG2107M33-T3-A
- Fabricant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- La description:
- TRANS NPN 2GHZ M33
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15748 Pieces
- Fiche technique:
- NESG2107M33-T3-A.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 5V |
|---|---|
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | 3-SuperMiniMold (M33) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 130mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 3-SMD, Flat Leads |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | NESG2107M33-T3-A |
| Gain: | 7dB ~ 10dB |
| Fréquence - Transition: | 10GHz |
| Description élargie: | RF Transistor NPN 5V 100mA 10GHz 130mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (M33) |
| La description: | TRANS NPN 2GHZ M33 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 140 @ 5mA, 1V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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