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MURTA200120
- Modèle de produit:
- MURTA200120
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16061 Pieces
- Fiche technique:
- MURTA200120.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2.6V @ 100A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Package composant fournisseur: | Three Tower |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Three Tower |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | MURTA200120 |
| Description élargie: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Three Tower |
| Type de diode: | Standard |
| Configuration diode: | 1 Pair Common Cathode |
| La description: | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 25µA @ 1200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
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