MUR20005CTR
Modèle de produit:
MUR20005CTR
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12534 Pieces
Fiche technique:
1.MUR20005CTR.pdf2.MUR20005CTR.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.3V @ 100A
Tension - inverse (Vr) (max):50V
Package composant fournisseur:Twin Tower
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):75ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:Twin Tower
Autres noms:MUR20005CTRGN
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Référence fabricant:MUR20005CTR
Description élargie:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 50V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Type de diode:Schottky
Configuration diode:1 Pair Common Anode
La description:DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
Courant - fuite, inverse à Vr:25µA @ 50V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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