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MTZJT-779.1B
- Modèle de produit:
- MTZJT-779.1B
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19906 Pieces
- Fiche technique:
- MTZJT-779.1B.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Zener (Nom) (Vz): | 9.1V |
|---|---|
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | - |
| Tolérance: | ±3% |
| Package composant fournisseur: | MSD |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 500mW |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | DO-204AG, DO-34, Axial |
| Température de fonctionnement: | - |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | MTZJT-779.1B |
| Impédance (Max) (Zzt): | 20 Ohm |
| Description élargie: | Zener Diode 500mW ±3% Through Hole MSD |
| La description: | DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 500nA @ 6V |
| Email: | [email protected] |
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