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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
- Modèle de produit:
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC FLASH 6G DDR2
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16618 Pieces
- Fiche technique:
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Alimentation: | 1.8V |
|---|---|
| La vitesse: | 533MHz |
| Séries: | - |
| Température de fonctionnement: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Format de mémoire: | FLASH, RAM |
| Référence fabricant: | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
| Interface: | Parallel |
| La description: | IC FLASH 6G DDR2 |
| Email: | [email protected] |
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