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| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 55V |
|---|---|
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | M222 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 50W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | M222 |
| Température de fonctionnement: | 250°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | - |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | MS2212 |
| Gain: | 8.1dB ~ 8.9dB |
| Fréquence - Transition: | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Description élargie: | RF Transistor NPN 55V 1.8A 960MHz ~ 1.215GHz 50W Chassis Mount M222 |
| La description: | TRANS RF BIPO 50W 1.8A M222 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 15 @ 500mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1.8A |
| Email: | [email protected] |