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MS2200
- Modèle de produit:
- MS2200
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13185 Pieces
- Fiche technique:
- MS2200.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 65V |
|---|---|
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | M102 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1167W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | M102 |
| Température de fonctionnement: | 200°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | - |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | MS2200 |
| Gain: | 9.7dB |
| Fréquence - Transition: | 400MHz ~ 500MHz |
| Description élargie: | RF Transistor NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W Chassis Mount M102 |
| La description: | TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 5A, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 43.2A |
| Email: | [email protected] |
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