MMDF2N02ER2
Modèle de produit:
MMDF2N02ER2
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
14884 Pieces
Fiche technique:
MMDF2N02ER2.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 2.2A, 10V
Puissance - Max:2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:MMDF2N02ER2OS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:MMDF2N02ER2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:532pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 3.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
Tension drain-source (Vdss):25V
La description:MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.6A
Email:[email protected]

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