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MJD117G
- Modèle de produit:
- MJD117G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17726 Pieces
- Fiche technique:
- MJD117G.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 100V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 40mA, 4A |
| Transistor Type: | PNP - Darlington |
| Package composant fournisseur: | DPAK-3 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.75W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | MJD117G-ND MJD117GOS |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Référence fabricant: | MJD117G |
| Fréquence - Transition: | 25MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3 |
| La description: | TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 2A, 3V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 20µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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