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MBR35100R
- Modèle de produit:
- MBR35100R
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19877 Pieces
- Fiche technique:
- 1.MBR35100R.pdf2.MBR35100R.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 840mV @ 35A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 100V |
| Package composant fournisseur: | DO-4 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms: | MBR35100RGN |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | MBR35100R |
| Description élargie: | Diode Schottky, Reverse Polarity 100V 35A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Type de diode: | Schottky, Reverse Polarity |
| La description: | DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.5mA @ 20V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 35A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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