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MBR20030CT
- Modèle de produit:
- MBR20030CT
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12319 Pieces
- Fiche technique:
- 1.MBR20030CT.pdf2.MBR20030CT.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 650mV @ 100A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 30V |
| Package composant fournisseur: | Twin Tower |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Twin Tower |
| Autres noms: | 1242-1008 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | MBR20030CT |
| Description élargie: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| Type de diode: | Schottky |
| Configuration diode: | 1 Pair Common Cathode |
| La description: | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5mA @ 20V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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