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MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Modèle de produit:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Fabricant:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- La description:
- IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12201 Pieces
- Fiche technique:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Alimentation: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| La vitesse: | 150ns |
| Séries: | - |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 256Kb (32K x 8) |
| Format de mémoire: | FRAM |
| Référence fabricant: | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
| Interface: | Parallel |
| La description: | IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP |
| Email: | [email protected] |
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