LTC1155IN8#PBF
LTC1155IN8#PBF
Modèle de produit:
LTC1155IN8#PBF
Fabricant:
L
La description:
IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16566 Pieces
Fiche technique:
LTC1155IN8#PBF.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Alimentation:4.5 V ~ 18 V
Package composant fournisseur:8-PDIP
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):-
Emballage:Tube
Package / Boîte:8-DIP (0.300", 7.62mm)
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Nombre de conducteurs:2
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Référence fabricant:LTC1155IN8#PBF
Tension logique - VIL, VIH:0.8V, 2V
Type d'entrée:Non-Inverting
Type de porte:N-Channel MOSFET
Description élargie:High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
Configuration pilotée:High-Side
La description:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP
Current - Peak Output (Source, Évier):-
courant de charge:Independent
Email:[email protected]

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