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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 50mA, 500mA |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 800mW |
Emballage: | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | KSC1008COTA |
Fréquence - Transition: | 50MHz |
Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 700mA 50MHz 800mW Through Hole TO-92-3 |
La description: | TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 50mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 700mA |
Email: | [email protected] |