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KBL610G
- Modèle de produit:
- KBL610G
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE BRIDGE 1000V 6A KBL
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15106 Pieces
- Fiche technique:
- 1.KBL610G.pdf2.KBL610G.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Inverse de crête (max): | 1000V |
|---|---|
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.1V @ 6A |
| La technologie: | Standard |
| Package composant fournisseur: | KBL |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 4-SIP, KBL |
| Autres noms: | KBL610GGN |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | KBL610G |
| Description élargie: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole KBL |
| Type de diode: | Single Phase |
| La description: | DIODE BRIDGE 1000V 6A KBL |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 1000V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 6A |
| Email: | [email protected] |
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