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JDP4P02AT(TE85L)
- Modèle de produit:
- JDP4P02AT(TE85L)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor
- La description:
- SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19220 Pieces
- Fiche technique:
- JDP4P02AT(TE85L).pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Inverse de crête (max): | 30V |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | TESQ |
| Séries: | - |
| Résistance @ Si, F: | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Dissipation de puissance (max): | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 4-SMD, Flat Leads |
| Autres noms: | JDP4P02AT(TE85L)TR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | JDP4P02AT(TE85L) |
| Description élargie: | RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA TESQ |
| Type de diode: | PIN - 2 Independent |
| La description: | SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT |
| Courant - Max: | 50mA |
| Capacité à Vr, F: | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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