IXTN60N50L2
IXTN60N50L2
Modèle de produit:
IXTN60N50L2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18826 Pieces
Fiche technique:
IXTN60N50L2.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):735W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Référence fabricant:IXTN60N50L2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:24000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:610nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 500V 53A 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
La description:MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:53A
Email:[email protected]

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