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Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | Micro3™/SOT-23 |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 540mW (Ta) |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | *IRLML5103TR IRLML5103 IRLML5103-ND IRLML5103CT |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRLML5103TR |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.1nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
La description: | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 760mA (Ta) |
Email: | [email protected] |