IRFSL4229PBF
IRFSL4229PBF
Modèle de produit:
IRFSL4229PBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19623 Pieces
Fiche technique:
IRFSL4229PBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-262
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:48 mOhm @ 26A, 10V
Dissipation de puissance (max):330W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:SP001567750
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRFSL4229PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4560pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 250V 45A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262
Tension drain-source (Vdss):250V
La description:MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

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