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Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
Séries: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 375W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms: | SP001571682 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
Référence fabricant: | IRFS7730PBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 13660pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 407nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 75V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 6V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 75V |
La description: | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 195A (Tc) |
Email: | [email protected] |