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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | D-Pak |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 16A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 110W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | IRFR5305TRLPBF-ND IRFR5305TRLPBFTR SP001567854 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
Référence fabricant: | IRFR5305TRLPBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 55V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 55V |
La description: | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 31A (Tc) |
Email: | [email protected] |