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IRFD120
- Modèle de produit:
- IRFD120
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 14371 Pieces
- Fiche technique:
- IRFD120.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.3W (Ta) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Autres noms: | *IRFD120 IRFD121 IRFD122 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IRFD120 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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