IRF7475TRPBF
IRF7475TRPBF
Modèle de produit:
IRF7475TRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15977 Pieces
Fiche technique:
IRF7475TRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:IRF7475TRPBF-ND
IRF7475TRPBFTR
SP001563520
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRF7475TRPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1590pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 12V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss):12V
La description:MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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