IRF7353D1TRPBF
IRF7353D1TRPBF
Modèle de produit:
IRF7353D1TRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18102 Pieces
Fiche technique:
IRF7353D1TRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:32 mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipation de puissance (max):2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:IRF7353D1PBFTR
SP001566326
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRF7353D1TRPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Description élargie:N-Channel 30V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

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