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IRF6645TRPBF
- Modèle de produit:
- IRF6645TRPBF
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16266 Pieces
- Fiche technique:
- IRF6645TRPBF.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.9V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ SJ |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric SJ |
| Autres noms: | IRF6645TRPBFTR SP001562050 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | IRF6645TRPBF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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