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IRF6621TR1
- Modèle de produit:
- IRF6621TR1
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 17713 Pieces
- Fiche technique:
- IRF6621TR1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ SQ |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.1 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Autres noms: | IRF6621 IRF6621-ND SP001524780 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Référence fabricant: | IRF6621TR1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1460pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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