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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ ST |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.1 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric ST |
Autres noms: | SP001529136 |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Référence fabricant: | IRF6617TR1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 30V 14A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
La description: | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 14A (Ta), 55A (Tc) |
Email: | [email protected] |