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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-262 |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.4 mOhm @ 53A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 170W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Autres noms: | *IRF2807ZLPBF SP001553914 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRF2807ZLPBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3270pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 75V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 |
Tension drain-source (Vdss): | 75V |
La description: | MOSFET N-CH 75V 75A TO-262 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 75A (Tc) |
Email: | [email protected] |