IRF1010NPBF
IRF1010NPBF
Modèle de produit:
IRF1010NPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12534 Pieces
Fiche technique:
IRF1010NPBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 43A, 10V
Dissipation de puissance (max):180W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:*IRF1010NPBF
SP001563032
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:IRF1010NPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3210pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):55V
La description:MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

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