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IRD3CH82DB6
- Modèle de produit:
- IRD3CH82DB6
- La description:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18619 Pieces
- Fiche technique:
- IRD3CH82DB6.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2.7V @ 150A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Package composant fournisseur: | Die |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 355ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Die |
| Autres noms: | SP001544394 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IRD3CH82DB6 |
| Description élargie: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 150A Surface Mount Die |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 3µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 150A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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