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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 660µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO247-3 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 139W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Autres noms: | IPW60R199CPFKSA1 IPW60R199CPX IPW60R199CPXK SP000089802 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | IPW60R199CP |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1520pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| La description: | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |