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IPU50R1K4CEAKMA1
- Modèle de produit:
- IPU50R1K4CEAKMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18287 Pieces
- Fiche technique:
- IPU50R1K4CEAKMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 70µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO251-3 |
| Séries: | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
| Dissipation de puissance (max): | 42W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | SP001396810 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | IPU50R1K4CEAKMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 178pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 500V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO251-3 |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| La description: | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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