IPS135N03LGAKMA1
IPS135N03LGAKMA1
Modèle de produit:
IPS135N03LGAKMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12182 Pieces
Fiche technique:
IPS135N03LGAKMA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO251-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):31W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms:IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGIN-ND
IPS135N03LGXK
SP000257455
SP000788220
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IPS135N03LGAKMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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