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IPS090N03LGAKMA1
- Modèle de produit:
- IPS090N03LGAKMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17285 Pieces
- Fiche technique:
- IPS090N03LGAKMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO251-3 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 42W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Autres noms: | IPS090N03L G IPS090N03LGIN IPS090N03LGIN-ND IPS090N03LGXK SP000788216 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | IPS090N03LGAKMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 40A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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