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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 83µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO220-3-1 |
Séries: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.1 mOhm @ 70A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 125W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 |
Autres noms: | IPP70N10S3L-12 IPP70N10S3L-12-ND SP000427252 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 26 Weeks |
Référence fabricant: | IPP70N10S3L12AKSA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5550pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
La description: | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |