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IPL60R650P6SATMA1
- Modèle de produit:
- IPL60R650P6SATMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14737 Pieces
- Fiche technique:
- IPL60R650P6SATMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-ThinPak (5x6) |
| Séries: | CoolMOS™ P6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 56.8W (Tc) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | IPL60R650P6SATMA1DKR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | IPL60R650P6SATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 557pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 600V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| La description: | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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