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IPI80P04P4L08AKSA1
- Modèle de produit:
- IPI80P04P4L08AKSA1
- La description:
- MOSFET P-CH TO262-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15928 Pieces
- Fiche technique:
- IPI80P04P4L08AKSA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 120µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO262-3-1 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 75W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | SP000840210 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Référence fabricant: | IPI80P04P4L08AKSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5430pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 92nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 40V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| La description: | MOSFET P-CH TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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