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IPI50R399CPXKSA2
- Modèle de produit:
- IPI50R399CPXKSA2
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13459 Pieces
- Fiche technique:
- IPI50R399CPXKSA2.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 330µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO262-3 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 83W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | IPI50R399CP IPI50R399CP-ND SP001109552 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Référence fabricant: | IPI50R399CPXKSA2 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 500V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| La description: | MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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