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IPI020N06NAKSA1
- Modèle de produit:
- IPI020N06NAKSA1
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14102 Pieces
- Fiche technique:
- IPI020N06NAKSA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 143µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO262-3 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | IPI020N06N IPI020N06N-ND SP000962132 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Référence fabricant: | IPI020N06NAKSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 7800pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 106nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 60V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 29A (Ta), 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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