IPD85P04P4L06ATMA1
IPD85P04P4L06ATMA1
Modèle de produit:
IPD85P04P4L06ATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH TO252-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17670 Pieces
Fiche technique:
IPD85P04P4L06ATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 150µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO252-3-313
Séries:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.4 mOhm @ 85A, 10V
Dissipation de puissance (max):88W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:SP000842056
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Référence fabricant:IPD85P04P4L06ATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6580pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:104nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 40V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Tension drain-source (Vdss):40V
La description:MOSFET N-CH TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

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